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　　碳化硅衬底是指以碳化硅粉末为主要原材料，经过晶体生长（克服晶格缺陷、控制晶型是关键）、晶锭加工、切割、研磨、抛光、清洗等制造过程后形成的单片材料，是用于制作宽禁带半导体及其他碳化硅基器件的基础材料，在新能源汽车电控、光伏逆变器、5G基站等高频、高压场景优势显著。锐观产业研究院发布的《2026-2031全球及中国碳化硅（SIC）行业市场分析及投资建议报告》显示，2024年全球碳化硅衬底市场规模达到92亿元，较上年增长24.32%，受益于下游电力电子、射频器件需求爆发。锐观产业研究院分析师预测，2025年全球碳化硅衬底市场规模将达到123亿元，随着8英寸、12英寸衬底技术成熟及产业化推进，市场将进一步扩容。

　　目前，中国碳化硅衬底行业正处于尺寸升级的关键发展阶段，6英寸导电型衬底依旧是市场主流（技术成熟、成本相对可控，适配当前多数碳化硅器件产线英寸导电型衬底的市场需求正逐步攀升（契合大尺寸晶圆制造趋势，提升芯片制造效率与成本优势），12英寸导电型衬底已有研发样品（攻克大尺寸晶体生长、加工良率难题，将开启更高端应用）。从竞争格局来看，碳化硅衬底市场集中度较高，头部企业占据主导地位，按碳化硅衬底销售收入计，2023年前五大市场参与者市场份额总计为68.3%，国内企业如天科合达（在6英寸衬底量产及8英寸研发上领先）、三安光电（依托化合物半导体布局，拓展碳化硅衬底业务）、露笑科技（在碳化硅晶体生长设备及衬底制造协同发展）等加速追赶，与国外龙头（如美国Wolfspeed、日本罗姆等）竞争，推动国产碳化硅衬底技术迭代与市场份额提升。